恭喜清华大学王??教授著作《三维集成技术》出版！

作者简介：

王??，清华大学教授；03年底回国工作后，先后从事RF MEMS、高频硅微加工器件，以及BioMEMS的研究；授权中国发明专利3项，公开专利6项；现为中国仪器仪表学会传感器分会理事，IEEE会员；2005年入选北京市“科技新星计划”，入选2005年教育部“新世纪优秀人才支持计划”；发表国际期刊和会议论文45篇。

三维集成：

三维集成(3 D Integration)作为拓展摩尔定律( More than Moore)并实现异质器件集成和小型化、多样性高价值系统方案的热点技术,近年来已经成为集成电路领域最重要的发展方向之一。通过多层芯片堆叠并利用三维互连实现多层芯片的电信号连接,三维集成技术充分利用第三维尺度,解决目前集成电路面临的数据传输带宽、芯片功耗和速度等问题。通过多种异质芯片的集成,三维集成还为实现数字、模拟、射频、传感器、处理器和存储器等多功能系统集成提供了解决途径。三维集成技术的发展,使集成电路领域有可能不再仅仅依靠晶体管尺寸的不断缩小和巨额投资,在相当长的一段时间内仍旧可以继续按照摩尔定律( Moore'sLaw)的速度向前发展。

王??教授自述：

针对三维集成技术的特点,本书重点介绍了三维互连的制造技术、三维集成方法、三维集成的工艺策略、热力学理论、可靠性问题、测试技术等,并介绍了目前和潜在的应用以及新技术的发展趋势。对于与传统CMOS相同的制造方法和技术,本书只做筒单的介绍,而对于非传统CMOS的技术,例如深刻蚀、高深宽比电镀、键合、集成策略、测量测试以及可靠性等,书中都深入地介绍了相关知识。本书较为全面地介绍了三维集成技术的重点和前沿领域,特别是在三维互连制造、三维集成方法和可靠性等方面,甚至包括许多技术细节,希望这这些内容对相关领域的研究能够提供有益的帮助。

魏少军博士做序：

作为本书作者的同事,我有幸在作者写作本书的过程中先期阅读了全部书稿。本著作将基础与前沿发展充分结合,在深入介绍三维互连制造技术、集成技术、电学模型和可靠性等基础的同时,详细介绍了目前国际上在三维集成领域所取得的最新技术、成果和应用。本书内容翔实、条理清晰、文笔流畅,对相关领域的的研究人员和工程技术人员有一定的参考价值。